ISSN:
0392-6737
Keywords:
Laser systems and laser beam applications
Source:
Springer Online Journal Archives 1860-2000
Topics:
Physics
Description / Table of Contents:
Riassunto La transizione amorfo-cristallo in GaAs impiantato è stata ottenuta mediante impulsi laser di potenza a λ=1.06 μm. La fusione dello strato superficiale è possibile in quanto lo strato amorfo è caratterizzato da un valore del coefficiente di assorbimento grande rispetto al materiale cristallino. I valori di soglia misurati sono di 0.8 J/cm2 per cristalli impiantati sia con 50 keV di Te che con 100 keV di Ar. Misure effettuate mediante incanalamento di ioni He+ da 2.0 MeV e spettroscopia dei fotoelettroni emessi a seguito d'irraggiamento con raggi X indicano che non vi è decomposizione apprezzabile a densità di energia prossime alla soglia. Per densità di energia molto piú alte del valore di soglia si osserva invece decomposizione superficiale e perdita di arsenico.
Abstract:
Резюме Исследуется переход аморфного состояния в монокристаллическое, индуцированный мощным импульсом неодимового лазера, в GaAs, имплантированном ионами, используя высокий козффициент поглощения в аморфных материалах. Плотность пороговой энергии составляет 0.8 Дж/см2 для внедренных ионов Te+ с энергией 50 кэВ и ионов Ar+ с энергией 100 кэВ. Эффект каналирования и техника рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии указывают, что в узком окне плотности энергии немного выше порога не возникает заметного уменьщения As. Высокие плотности энергии вызывают потери Аз вблизи поверхностой области.
Notes:
Summary The amorphous-to-single crystal transition induced by high-power Nd laser pulse has been studied in ion-implanted GaAs by taking advantage of the high-absorption coefficient of amorphous material. A threshold energy density of about 0.8 J/cm2 has been measured for both 50 keV Te+ and 100 Ar+ implants. Channelling effect and X-ray photoelectron spectroscopy techniques indicate that no appreciable As loss occurs in a narrow energy density window just above threshold. High-energy densities cause instead As loss from the near surface region.
Type of Medium:
Electronic Resource
URL:
http://dx.doi.org/10.1007/BF02450601
Permalink
