ISSN:
0392-6737
Keywords:
Nonlocalized single-particle electronic states
Source:
Springer Online Journal Archives 1860-2000
Topics:
Physics
Description / Table of Contents:
Riassunto Indagini dettagliate mostrano come la differenza tra i due cationi nelle calcopiriti ABC2 produce una distribuzione tetragonale della carica di valenza che a sua volta induce una distorsione nel reticolo. Calcoli accurati utilizzanti pseudopotenziali autocoerenti per ZnGeAs2 e per un immaginario composto zincoblenda $$\overline {Zn - Ge} As$$ confermano che la componente tetragonale della carica in ZnGeAs2 è principalmente dovuta alla differenza chimica tra Zn e Ge e non a distorsioni cristallografiche. Questi calcoli autocoerenti mostrano anche che i) il valore piú basso del gap in ZnGeAs2 rispetto a $$\overline {Zn - Ge} As$$ è principalmente dovuto alle differenze chimiche dei cationi e ii) la separazione da campo cristallino della banda di valenza piú alta in ZnGeAs deriva essenzialmente dalla distorsione della cella unitariac/a.
Abstract:
Реюме Моделяные вычисления показывают, что различие между двумя катионами в ABC2 халькопиритах приводит к тетрагональному распредению валентного электронного эаряда, что, в свою очередь, прновдит к дисторсии решетки. Сравнительные самссогласованные вычисления псевдопотенциала для ZnGeAs2, и для ложной цинковой обманки $$\overline {Zn - Ge} As$$ подтверждают, тетрагональная компонента плотности электронного заряда в ZnGeAs2 главным образом, обусловлена химическим различием между Zn и Ge, а не кристаллографическими дисторсиями. Эти самосогласованные вычисления также показывают, что 1) меньшая величина энергетическою щеди в ZnGeAs2 по сравнению с $$\overline {Zn - Ge} As$$ , в основном, обусловлена химическими различиями катионов и 2) расщепление кристаллического поля на самою верщине валентных зон в ZnGeAs2 связано с дисторсиеюc/a единичною ячеюкн.
Notes:
Summary Model calculations show that the difference between the two cations in ABC2 chalcopyrites produces a tetragonal distribution of the valence electron charge which in turn induces a distortion of the lattice. Comparative self-consistent pseudopotential calculations for ZnGeAs2 and for a fictitious zincblende compound $$\overline {Zn - Ge} As$$ confirm that the tetragonal component of the electron charge density in ZnGeAs2 is mostly due to the chemical difference between Zn and Ge and not to crystallographic distortions. These self-consistent calculations also show that i) the lower value of the energy gap in ZnGeAs2 than in $$\overline {Zn - Ge} As$$ is mostly due to cation chemical differences and ii) the crystal field splitting of the topmost valence bands in ZnGeAs2 mostly originates from thec/a unit-cell distortion.
Type of Medium:
Electronic Resource
URL:
http://dx.doi.org/10.1007/BF02457845
Permalink
