ISSN:
0044-2313
Keywords:
Chemistry
;
Inorganic Chemistry
Source:
Wiley InterScience Backfile Collection 1832-2000
Topics:
Chemistry and Pharmacology
Description / Table of Contents:
About the Formation of Oxidechlorides of Germanium at the Oxidation of GeCl4 in Homogeneous Gas PhaseAt the reaction in the gaseous system GeCl4/O2 at 1223 K and 3.8 × 10-3 mol × I-1 GeCl4 the formation of Ge2OCl6 up to 1% was found beside GeO2. In the infrared spectrum it shows an characteristic absorption band at 743 cm-1. The determination of the molecular weight and experiments of chemical transport in the system GeO2/GeCl4 exclude the simultaneous formation of GeOCl2. Ge2OCl6 is not formed above 1273 K, an important result for the formation of defect free and high pure SiO2/GeO2 glasses by the oxidation of the halides at the so called MCVD (Modified Chemical Vapour Deposition) process.
Notes:
Bei der Gasphasenreaktion im System GeCl4/O2 wurde bei 1223 K und 3,8 · 10-3 mol · l-1 GeCl4 neben GeO2 die Bildung von etwa 1% Ge2OCl6 festgestellt und in dessen Infrarotspektrum eine bisher noch nicht beschriebene Bande des Germaniumoxidchlorids bei 743 cm-1 beobachtet. Durch Molekulargewichtsbestimmung und chemische Transportexperimente im System GeO2/GeCl4 wird die gleichzeitige Bildung von GeOCl2 ausgeschlossen. Die Bildung von Ge2OCl6 endet bei Temperaturen oberhalb 1273 K, was für die Bildung defektfreier und hochreiner SiO2/GeO2-Gläser durch Oxidation der entsprechenden Halogenide beim sog. MCVD-Prozeß von Bedeutung ist.
Additional Material:
1 Ill.
Type of Medium:
Electronic Resource
URL:
http://dx.doi.org/10.1002/zaac.19824950116
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