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  • 1965-1969  (2)
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  • 1967  (2)
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  • 1965-1969  (2)
  • 1930-1934
Year
  • 1
    Electronic Resource
    Electronic Resource
    Springer
    Monatshefte für Chemie 98 (1967), S. 2356-2361 
    ISSN: 1434-4475
    Source: Springer Online Journal Archives 1860-2000
    Topics: Chemistry and Pharmacology
    Description / Table of Contents: Abstract Samples prepared by sintering and melting of the respective powder mixtures Cr−Si−As and Cr−Ge−As have been examined by X-rays after homogenization; the phase equilibria for an isothermic section were established. Cr∼4As is forming solid solutions with the corresponding phases Cr3Si and Cr3Ge. An extended Si/As and Ge/As-substitution takes place within the T1-phase. In the vicinity of the defect-digermanide Cr11Ge19 a new stacking type of formula Cr∼37Ge∼59As∼4 has been observed; the crystal structure has been recognized as to be that of Rh10Ga17.
    Notes: Zusammenfassung Durch Sintern und Schmelzen hergestellte Proben in den Dreistoffen: Cr−Si−As und Cr−Ge−As werden nach Homogenisieren röntgenographisch untersucht. Die Gleichgewichte werden für einen isothermen Schmitt ermittelt. Die Phase Cr∼4As ist sowohl mit Cr3Si wie mit Cr3Ge lückenlos mischbar. In den T1-Phasen erfolgt ein merklicher Si/As- bzw. Ge/As-Austausch. Eine Stapelvariante, die in der Nachbarschaft des Defekt-Digermanids Cr11Ge19 auftritt, nämlich Cr∼37Ge∼59As∼4 wird beobachtet und als isotyp mit Rh10Ge17 erkannt.
    Type of Medium: Electronic Resource
    Location Call Number Expected Availability
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  • 2
    Electronic Resource
    Electronic Resource
    Springer
    Monatshefte für Chemie 98 (1967), S. 2127-2132 
    ISSN: 1434-4475
    Source: Springer Online Journal Archives 1860-2000
    Topics: Chemistry and Pharmacology
    Description / Table of Contents: Abstract The equilibria for the ternary system: V−As−C are investigated for 1100°C. The respective compositions of the phase having Cr3Si-type (A15) and the T1-phase (W5Si3-type) differ from stoichiometry. Besides V5As3C0,7 (filled D88-type) and V2AsC (H-phase) already described there is another ternary phase of formula V3AsC. The crystal structure of V3AsC has been determined by single crystal methods: Space group D 2h 17 ; the lattice parameters are found to be:a=3.128 Å,b=10.140 Å,c=7.699 Å. The crystal structure of V3AsC can be derived by filling of the octahedral voids of the Re3B-type.
    Notes: Zusammenfassung Die Aufteilung der Phasenfelder (1100° C) im Dreistoff: V−As−C wird ermittelt. Die Phase mit Cr3Si-Typ (A15) und die T1-Phase (W5Si3-Typ) besitzen eine von der Stöchiometrie abweichende Zusammensetzung. Neben den schon beschriebenen Phasen V5As3C0,7 (aufgefüllter D88-Typ) und V2AsC (H-Phase) existiert noch eine weitere ternäre Phase der Formel V3AsC. Die Struktur derselben wird mittels Einkristallmethoden bestimmt; Raumgruppe D 2h 17 , die Gitterparameter sind:a=3,128 Å,b=10,140 Å,c=7,699 Å. Die Struktur kann durch Auffüllung der Oktaederlücken im Re3B-Typ abgeleitet werden.
    Type of Medium: Electronic Resource
    Location Call Number Expected Availability
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