ISSN:
0392-6737
Keywords:
Integrated electronics
Source:
Springer Online Journal Archives 1860-2000
Topics:
Physics
Description / Table of Contents:
Riassunto La litografia a raggi X è una tecnica di proiezione 1∶1, cosicché sia il pattering che la prestazione dei resist, nel processo di fabbricazione delle maschere, sono critici per questa tecnologia. In questo articolo sono presentati dei risultati relativi a prestazioni di resist che soddisfano i requisiti necessari alla copiatura della maschere e, in prospettiva, anche i requisiti di una litografia per produzione. Inoltre, si presenta un processo che utilizza un singolo strato di resist, nella fabbricazione di maschere mediante litografia a fascio elettronico, che porta a risultati di alta qualità: righe fino a 0.5μm (nel caso di linee e spazi 1∶1) e 0.2μm (linee singole). Gli assorbitori di oro, di spessore 8000 Å, sono adatti per una litografia a raggi X con radiazione relativamente dura: in particolare, con luce di sincrotrone. Vengono utilizzati substrati di nitruro di boro in condizioni nelle quali si osservano trascurabili effetti di scattering elettronico. I risultati sono analizzati alla luce di calcoli di scattering effettuati col metodo Monte Carlo.
Abstract:
Резюме Рентгеновская литография представляет технику 1∶1 теневых отпечатков, так что копирование и изготовление сопротивления существенно зависят от теънологии. В этой работе приводятся результаты по изготовлению сопротивлений. Предлагается процесс изготовления одно-слойного резистора с помощью электронно-лучевой литографии, результаты характеризуются высоким качеством, высоким разрешением до 0.5 микрон и даже до 0.2 микрон (отлельные линии). Получаются структуры Au поглотителя толщиной 8000 Å, имеющие вертикальные стенки и острые края, подходящие, в общем случае, для рентгеновской литографии с относительно жестким излучением и, в частности, с использованием синхротронного излучения. Используются подложки из нитрида бора при условиях, когда наблюдаются пренебрежимо малые эффекты рассеяния. Полученные результаты обсуждаются в свете моделирования по методу Монте Карло.
Notes:
Summary X-ray lithography is a 1∶1 shadow printing technique, so that both patterning and resist performance, in the mask fabrication process, are critical to this technology. In this paper, results of resist performance are presented, which meet immediate mask copying requirements and those of prospective printing applications. Furthermore, a single-layer resist process is presented, for master mask fabrication by electron beam lithography, resulting in high-quality, high-resolution patterns down to 0.5μm (1∶1 lines and spaces) and even 0.2 μm (single lines). 8000 Å thick Au absorber structures are obtained, exhibiting vertical walls and sharp edges, suitable for X-ray lithography with relatively hard radiation in general, and synchrotron radiation in particular. Boron nitride substrates are utilized, under conditions in which negligible scattering effects are observed. The results are discussed in the light of Monte Carlo calculations.
Type of Medium:
Electronic Resource
URL:
http://dx.doi.org/10.1007/BF02451110
Permalink