ISSN:
0003-3146
Keywords:
Chemistry
;
Polymer and Materials Science
Source:
Wiley InterScience Backfile Collection 1832-2000
Topics:
Chemistry and Pharmacology
,
Physics
Description / Table of Contents:
Copolymers containing hydantoin- and imide-groups were prepared using purified materials and applied to the surface of MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) in order to amplify the influence of copolymers on semiconductor devices. The influence of the polymers on the residual current of the device was analyzed with respect to impurity content, softening temperature of the polymers, composition ratios etc. It was found that the residual current increases with increasing flowing temperature of the polymer containing only imide groups, and with increasing content of hydantoin groups.
Notes:
Copolymere, die Hydantoin- und Imidgruppen enthielten, wurden hergestellt und auf die Oberfläche von MOSFET (Metalloxid-Halbleitereffekt-Transistor) aufgetragen, um den Einfluß des Copolymeren auf Halbleiteranlagen darzustellen. Der Einfluß der Polymeren auf den Reststrom der Anordnung wurde hinsichtlich des Gehalts an Verunreinigungen, der Erweichungstemperatur, der Zusammensetzung etc. untersucht. Es wurde beobachtet, daß der Reststrom bei Polymeren, die nur Imidgruppen enthielten, mit steigender Erweichungstemperatur sowie bei den Copolymeren mit steigendem Hydantoingruppengehalt ansteigt.
Additional Material:
8 Ill.
Type of Medium:
Electronic Resource
URL:
http://dx.doi.org/10.1002/apmc.1985.051360107
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