ISSN:
0044-2313
Schlagwort(e):
Chemistry
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Inorganic Chemistry
Quelle:
Wiley InterScience Backfile Collection 1832-2000
Thema:
Chemie und Pharmazie
Beschreibung / Inhaltsverzeichnis:
Thermochemische Eigenschaften und Aufwachsen von Hg1-xCdxTe auf CdTeNach thermodynamischen Rechnungen enthält die Gasphase des epitaktischen Hg1-xCdxTe - HgI2 - CdTe Systems vorwiegend Hg(g) und HgI2(g) durch die andere Moleküle vom Ausgangsstoff zum CdTe Substrat wandern. Transportversuche im Temperaturgradienten 590° → 535°C zeigten, daß man dünne Schichten von Hg1-xCdxTe auf CdTe von einem ternären Ausgangsmaterial in Gegenwart von HgI2 erhält.
Notizen:
Based on a thermodynamic analysis, the vapor phase of the Hg1-xCdxTe - HgI2 - CdTe epitaxy system consists predominantly of Hg(g) and HgI2(g) through which nutrient species migrate from the source to the CdTe substrate. Growth experiments in the 590° → 535°C temperature gradient showed that Hg1-xCdxTe layers can be grown on CdTe substrates using a preannealed, ternary source material in the presence of HgI2.
Zusätzliches Material:
3 Ill.
Materialart:
Digitale Medien
URL:
http://dx.doi.org/10.1002/zaac.19845100328
Permalink
