ISSN:
1436-5073
Source:
Springer Online Journal Archives 1860-2000
Topics:
Chemistry and Pharmacology
Description / Table of Contents:
Summary For binary systems with anteils of the components between 10 and 90%, a very precise concentration determination can be performed via precision measurements of lattice constants. This applies both to intermetallic constants and also to mixed crystals, in some cases even when the atomic radii of the components differ only slightly. The accuracy of the concentration determination can be increased by a closer coupling of the Kossel technique with electron ray microanalysis. In this way, the electron ray methods of microanalytic correction may be checked and improved. The Kossel method is suitable for studying processes in crystallo-graphic phase transformations both in the low temperature and in the high temperature range. Alterations in real structure parameters can be detected, e.g. the density of staggered arrangement. The intensity of Kossel lines, which arise on the A and B sides of AIII BV and AII BVI semiconductors, is distinctly different, so that coupling of Kossel and proton scattering experiments on single crystals may supply new data on crystal physics.
Notes:
Zusammenfassung Für binäre Systeme mit Anteilen der Komponenten zwischen 10 und 90% läßt sich mit der Kossel-Technik über Präzisionsgitter-konstantenmessungen eine sehr genaue Konzentrationsbestimmung durchführen. Das trifft sowohl für intermetallische Verbindungen als auch für Mischkristalle zu; in einigen Fällen gilt das sogar dann, wenn die Atomradien der Komponenten sich nur wenig unterscheiden. Über eine engere Kopplung der Kossel-Technik mit der Elektronenstrahl-Mikroanalyse läßt sich die Genauigkeit der Konzentrationsbestimmung steigern und die elektronenstrahl-mikroanalyti-schen Korrekturverfahren können auf diesem Wege überprüft und verbessert werden. Die Kossel-Technik ist geeignet, die Vorgänge bei kristallogra-phischen Phasenumwandlungen sowohl im Tieftemperaturbereich als auch im Hochtemperaturbereich zu studieren. Sich dabei ändernde Realstrukturparameter, wie z. B. die Versetzungsdichte, lassen sich erfassen. Die Intensität von Kossei-Linien, die an A- und B-Seiten von AIIIBV-bzw. AIIBVI-Halbleitern entstehen, ist deutlich verschieden, so daß sich die Kossel-Technik als ein neues Untersuchungsverfahren für Halbleiteroberflächen anbietet. Die Experimente zur Herstellung von Kossel-Aufnahmen mit Protonenstrahlanregung belegen, daß die Kopplung von Kossei- und Protonenstreuexperimenten an Einkristallen neue kristallphysikalische Aussagen zu liefern vermag.
Type of Medium:
Electronic Resource
URL:
http://dx.doi.org/10.1007/BF01196200
Permalink
