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    Electronic Resource
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    Physical vapor transport and crystal growth of GeSexTe1-x solid solutionsDedicated to Professor Hans-Georg von Schnering on his 60th Birthday (1991)
    Weinheim : Wiley-Blackwell
    Zeitschrift für anorganische Chemie 598 (1991), S. 339-352 
    Details
    ISSN: 0044-2313
    Keywords: Germanium selenide telluride mixed single crystals ; crystal growth ; vapor transport ; Chemistry ; Inorganic Chemistry
    Source: Wiley InterScience Backfile Collection 1832-2000
    Topics: Chemistry and Pharmacology
    Description / Table of Contents: Sublimation und Kristallwachstum von GeSexTe1-x MischkristallenUntersuchungen des Transports bei der Sublimation von GeSexTe1-x (x = 0,1, 0,2, 0,3, und 0,4) zeigten, daß große Einkristalle dieser Verbindungen auf diese Weise in geschlossenen Ampullen erhalten werden können. Die Analyse der chemischen Zusammensetzung der Kristalle ergab, daß der Transportvorgang unter „steady-state“ Bedingungen pseudo-congruent ist und von Diffusionsvorgängen im Quellenmaterial abhängig ist. Auf Grund dieser Versuche konnte die Abweichung von der Stöchiometrie (Ge-Leerstellen) der GeSexTe1-x-Einkristalle abgeschätzt werden. Die Einflüsse der kubisch nach rhomboedrischen Phasenumwandlung bei der Abkühlung auf die Feinstruktur und die Morphologie der gemischten Einkristalle werden beobachtet. Diese Arbeit bildet die Grundlage für nachfolgende Untersuchungen der Defektstrukturen und für elektrische Messungen an diesen Kristallen.
    Notes: Physical vapor transport studies of GeSexTe1-x (x = 0.1, 0.2, 0.3, and 0.4) solid solutions demonstrated, that individual, large single crystals of these materials can be grown in closed ampoules. A compositional analysis of the grown crystals revealed, that the mass transport (crystal growth) process under steady-state conditions is pseudo-congruent and controlled by diffusion processes in the source material. From these experiments, the degree of nonstoichiometry (Ge-vacancy concentrations) of GeSexTe1-x single crystals could be estimated. The effects of the cubic to rhombohedral phase transformation during cooling on the microstructure and morphology of the grown mixed crystals are observed. This work provides the basis for subsequent defect studies and electrical measurements on these crystals.
    Additional Material: 6 Ill.
    Type of Medium: Electronic Resource
    URL: http://dx.doi.org/10.1002/zaac.19915980131
    Location Call Number Expected Availability
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    Paper (German National Licenses)
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  • 2
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    Electrophysical properties of GeSexTe1-x single crystals grown by physical vapor transport (PVT)Dedicated to Professor Harald Schäfer on his 80th Birthday (1993)
    Weinheim : Wiley-Blackwell
    Zeitschrift für anorganische Chemie 619 (1993), S. 163-167 
    Details
    ISSN: 0044-2313
    Keywords: Germanium selenide telluride mixed single crystals ; electro-physical properties ; Chemistry ; Inorganic Chemistry
    Source: Wiley InterScience Backfile Collection 1832-2000
    Topics: Chemistry and Pharmacology
    Description / Table of Contents: Elektrophysikalische Eigenschaften von durch Sublimation gewachsenen GeSexTe1-x-Mischkristallen.Die Abhängigkeiten der Gitterkonstanten, Massendichte, Hall-Konstante, der Konzentration und Beweglichkeit der Ladungsträger, und der elektrischen Leitfähigkeit von GeSexTe1-x(x=0,1 - 0,4) Einkristallen, gezüchtet mittels PVT, zeigen an, daß die Kristalle nicht-stöchiometrische, entartete Halbleiter mit p-Typ-Leitfähigkeit sind. Die Hauptgitterdefekte sind Germanium-Leerstellen. Die Einflüsse des Selengehaltes auf die elektrischen Eigenschaften der GeSexTe1-x-Einkristalle sind qualitativ erklärbar mit Hilfe des Energiediagramms und der nicht-stöchiometrischen Eigenschaft dieser Verbindung.
    Notes: The room temperature composition dependences of the lattice parameters, mass density, thermopower, Hall constant, carrier concentration and mobility, and electrical conductivity of GeSexTe1-x (x=0.1 - 0.4) single crystals grown by the Physical Vapor Transport (PVT) method, indicate that the crystals are non-stoichiometric degenerate semiconductors having p-type conductivity. The main lattice defects in this compound are germanium vacancies. The effects of selenium content on the electrical properties of GeSexTe1-x single crystals are explained qualitatively based on the character of the energy levels and on the non-stoichiometric property of this compound.
    Additional Material: 3 Ill.
    Type of Medium: Electronic Resource
    URL: http://dx.doi.org/10.1002/zaac.19936190127
    Location Call Number Expected Availability
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    Paper (German National Licenses)
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  • 3
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    Electrical properties and valence band structure of GeSexTe1-x single crystalsDedicated to Professor Harald Schäfer on his 80th Birthday. (1993)
    Weinheim : Wiley-Blackwell
    Zeitschrift für anorganische Chemie 619 (1993), S. 168-173 
    Details
    ISSN: 0044-2313
    Keywords: Germanium selenide telluride mixed single crystals ; valence band structure ; Chemistry ; Inorganic Chemistry
    Source: Wiley InterScience Backfile Collection 1832-2000
    Topics: Chemistry and Pharmacology
    Description / Table of Contents: Elektrische Eigenschaften und Valenz  -  Band Struktur von GeSexTe1-x Einkristallen.Die anormale Abhängigkeit der Transporteigenschaften der Ladungsträger von der Zusammensetzung von Ge1-y(Se0,2Te0,8)y im Bereich y=0,495 - 0,510 wird bei Zimmertemperatur mit Hilfe eines Zwei-Ladungsträger-Modells analysiert. Die gute Übereinstimmung zwischen gemessenen und berechneten Ergebnissen bestätigt die Existenz von zwei Valenzbändern im α-GeSexTe1-x, welche durch die rhomboedrische Verzerrung des Gitters bei niedriger Temperatur erzeugt werden.
    Notes: The anomalous composition dependence of the carrier transport properties of Ge1-y(Se0.2Te0.8)y in the range y=0.495 - 0.510 has been analyzed at room temperature by means of a two-carrier model. The close agreement between the experimental and computational results confirms the existence of two valence bands in α-GeSexTe1-x which are produced by the rhombohedral distortion of the lattice at low temperature.
    Additional Material: 4 Ill.
    Type of Medium: Electronic Resource
    URL: http://dx.doi.org/10.1002/zaac.19936190128
    Location Call Number Expected Availability
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    Paper (German National Licenses)
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  • 4
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    Defect Morphology of GeSexTe1-x Single Crystals grown by physical vapor transport (1991)
    Weinheim : Wiley-Blackwell
    Zeitschrift für anorganische Chemie 602 (1991), S. 129-141 
    Details
    ISSN: 0044-2313
    Keywords: Germanium selenide telluride single crystals ; defect morphology ; preparation ; phase transformation ; Chemistry ; Inorganic Chemistry
    Source: Wiley InterScience Backfile Collection 1832-2000
    Topics: Chemistry and Pharmacology
    Description / Table of Contents: Fehlstellen Morphologie in durch Sublimation gewachsenen GeSexTe1-x EinkristallenGleitlinien und Bänder, Mosaiken, Fehlstellen und Zwillinge, verursacht durch die kubisch (Hochtemp.) nach rhomboedrische (Zimmertemp.) Phasenumwandlung von GeSexTe1-x-Einkristallen (x = 0, 1-0,4), wurden mit Hilfe von chemischer Ätzung, mikroskopischen und Laue-Röntgen Methoden beobachtet. Die strukturellen Fehlstellen nehmen mit dem Se-Gehalt der Kristalle zu. Durch nachträgliches Tempern kann die Kristallmorphologie verbessert werden. Leerstellen in Ge0, 49(SexTe1-x)0, 51 (x = 0, 1, 0, 2) sind unbesetzte Ge-Positionen.
    Notes: Slip lines and bands, mosaic patterns, dislocations, and twins, produced by the atom displacement type phase transformation from the cubic (high T) to the rhombohedral (room T) modification of GeSexTe1-x single crystals (x = 0.1-0.4), were observed by chemical etching, microscopic, and Laue X-ray back reflection techniques. Structural defects increase with Se content of the crystals. Post-growth annealing improves the crystal morphology. Vacancy clusters in Ge0.49 (SexTe1-x)0.51 (x = 0.1, 0.2) are Ge vacancies.
    Additional Material: 12 Ill.
    Type of Medium: Electronic Resource
    URL: http://dx.doi.org/10.1002/zaac.19916020114
    Location Call Number Expected Availability
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