ISSN:
0947-5117
Keywords:
Chemistry
;
Polymer and Materials Science
Source:
Wiley InterScience Backfile Collection 1832-2000
Topics:
Mechanical Engineering, Materials Science, Production Engineering, Mining and Metallurgy, Traffic Engineering, Precision Mechanics
Description / Table of Contents:
Thermal stability of anodically produced oxide layers on niobium and tantalumThe anodic oxidation of niobium and tantalum yields glassy oxide layers with a certain oxygen deficit leading to the formation of oxygen vacancies. The concentration of vacancies determines the rate of diffusion of oxygen and the electronic conductivity in the oxide. Upon heating in air, anodic oxide films on tantalum retard the dissolution of oxygen into the metal and delay the formation of rapidly growing porous oxide layers. The retardation is due to the slow diffusion of oxygen in the oxide. The rates of the phase boundary reactions between niobium oxide and niobium and between niobium oxide and oxygen have been investigated measuring the electronic conductivity of the oxide layer. The reactions between niobium oxide and niobium proceeds by dissolution of oxygen into the metal and formation of oxygen vacancies. During contact with oxygen, oxygen vacancies in the oxide are filled up.
Notes:
Bei der anodischen Oxydation von Niob und Tantal entstehen glasartige Oxidschichten mit einem gewissen Sauer-stoffunterschuß, der im Oxid in Form von Sauerstoffleerstellen vorhanden ist. Die Leerstellenkonzentration bestimmt die Diffusionsgeschwindigkeit von Sauerstoff und die Elektronenleitfähigkeit im Oxid. Beim Erhitzen in einer Sauerstoff-atmosphäre hemmen anodisch erzeugte Oxidschichten auf Tantal die Auflösung von Sauerstoff im Metall und verzögern die Ausbildung schnell wachsender, poröser Oxidschichten. Die Hemmung beruht auf einer langsamen Diffusion von Sauerstoff im Oxid. Die Kinetik der Phasen- grenzreaktionen zwischen Nioboxid und Sauerstoff wurde aus Messungen der Elektronenleitfähigkeit der Oxidschicht ermittelt. Das Nioboxid reagiert mit Metall und Bildung von Sauerstoffleerstellen. Im Kontakt mit Sauerstoff werden Sauerstoffleerstellen im Oxid aufgefüllt.
Additional Material:
5 Ill.
Type of Medium:
Electronic Resource
URL:
http://dx.doi.org/10.1002/maco.19690200303
Permalink
