ISSN:
1618-2650
Source:
Springer Online Journal Archives 1860-2000
Topics:
Chemistry and Pharmacology
Description / Table of Contents:
Summary The recently developed Atomic Layer Epitaxy (ALE) method produces good quality electroluminescent thin-film structures which can be used in various display applications. Besides the light emitting layer which is usually ZnS: Mn2+, the structures contain several other components such as aluminium oxide and indium-tin oxide layers; the total thickness is around 2 μm. It was found that XRF provides a convenient way for the determination of activator concentrations and film thicknesses while SIMS can be used for the determination of depth profiles in a wide concentration range. A rapid and accurate method for the routine determination of Mn2+ and Tb3+ in ZnS by XRF is described and the use of SIMS for the study of sodium distribution and diffusion is discussed.
Notes:
Zusammenfassung Neuentwickelte epitaktische Abscheideverfahren („Atomic Layer Epitaxy — ALE“) ermöglichen die Herstellung von elektroluminescierenden Dünnfilmstrukturen hoher Qualität, welche für verschiedene elektronische Displays eingesetzt werden können. Neben der lichtemittierenden Schicht — üblicherweise Mangan-dotiertes ZnS — enthalten derartige Strukturen einige andere Komponenten wie Al2O3- oder Indium-Zinn-Oxid-(ITO)-Schichten. Die Gesamtdicke aller Schichten eines Displays beträgt ca. 2 μm. Für die Bestimmung der Aktivatorkonzentration (Mn) sowie von Terbium und der Schichtdicke von ZnS wurde eine röntgenfluorescenzanalytische Routinemethode ausgearbeitet. Die Sekundär-Ionen-Massenspektrometrie (SIMS) ermöglicht die Charakterisierung der Schichtstrukturen und der Verunreinigungen in einzelnen Schichten. Dies gestattet insbesondere die Untersuchung der Verteilung und Diffusion des wichtigen Spurenelementes Natrium.
Type of Medium:
Electronic Resource
URL:
http://dx.doi.org/10.1007/BF00517656
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