ISSN:
0392-6737
Keywords:
Electronic density of states determinations (including energy states of liquid semiconductors)
Source:
Springer Online Journal Archives 1860-2000
Topics:
Physics
Description / Table of Contents:
Riassunto È stata usata la tecnica dell'effetto di campo per misurare la densità di stati nella mobility gap di film di silicio amorfo. Abbiamo usato un nuovo metodo per calcolare la distribuzione della densità di stati. Il metodo è basato sulla soluzione analitica dell'equazione integrale di Fredholm che mette in relazione la densità di carica spaziale con la densità di stati.
Abstract:
Резюме Техника эффекта поля используется для измерения плотности состояний в интервале подвижности аморфных кремниевых пленок. Мы используем новый метод вычисления распределения плотности состояний. Предложенный метод основан на аналитическом рещении интегрльного уравнения фредгольма, которое связывает пространственную плотность заряда с плотностью состояний.
Notes:
Summary The field effect technique has been used to measure the density of states in the mobility gap of silicon films. We used a new method to compute the density of states distribution. The method is based on an analytical solution of the Fredholm integral equation, which relates the space charge density to the density of states.
Type of Medium:
Electronic Resource
URL:
http://dx.doi.org/10.1007/BF02450115
Permalink
