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Digitale Medien

Temperature dependence of photodegradation in amorphous hydrogenated silicon (1988)

Sun, Y. M. ; Krühler, W. ; Nebel, C. E. ; [weitere]

Springer

Applied physics 46 (1988), S. 5-8

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Details

ISSN: 1432-0630

Schlagwort(e): 73.60 ; 85.30

Quelle: Springer Online Journal Archives 1860-2000

Thema: Maschinenbau , Physik

Notizen: Abstract Measurements of steady-state photoconductivity with respect to light-induced defect generation in amorphous hydrogenated silicon (a-Si: H) show that the power index of the time evolution (long-term observation) of the photodegradation is determined by the exposure temperature and the material.

Materialart: Digitale Medien

URL: http://dx.doi.org/10.1007/BF00615129

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