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Simple, very low dark current, planar long‐wavelength avalanche photodiode (1988)

Liu, Y. ; Forrest, S. R. ; Ban, V. S. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1988; 53(14): 1311-1313. Published 1988 Oct 03. doi: 10.1063/1.100006.

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Publikationsdatum: 1988-10-03

Print ISSN: 0003-6951

Digitale ISSN: 1077-3118

Thema: Physik

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Gate leakage mechanisms in strained Si devices (2006)

Yan, L. ; Olsen, S. H. ; Kanoun, M. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Journal of Applied Physics. 2006; 100(10): 104507. Published 2006 Nov 15. doi: 10.1063/1.2374191.

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Publikationsdatum: 2006-11-15

Print ISSN: 0021-8979

Digitale ISSN: 1089-7550

Thema: Physik

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Influence of the Ge concentration in the virtual substrate on the low frequency noise in strained-Si surface n-channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (2008)

Fobelets, Kristel ; Rumyantsev, Sergey L. ; Shur, Michael S. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Journal of Applied Physics. 2008; 103(4): 044501. Published 2008 Feb 15. doi: 10.1063/1.2844553.

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Publikationsdatum: 2008-02-15

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The formation of Er-oxide nanoclusters in SiO2 thin films with excess Si (2009)

Thogersen, Annett ; Mayandi, Jeyanthinath ; Finstad, Terje ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Journal of Applied Physics. 2009; 106(1): 014305. Published 2009 Jul 01. doi: 10.1063/1.3148266.

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Publikationsdatum: 2009-07-01

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Characterization of amorphous and crystalline silicon nanoclusters in ultra thin silica layers (2008)

Thogersen, Annett ; Mayandi, Jeyanthinath ; Finstad, Terje G. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Journal of Applied Physics. 2008; 104(9): 094315. Published 2008 Nov 01. doi: 10.1063/1.3014195.

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Improved gate oxide integrity of strained Si n-channel metal oxide silicon field effect transistors using thin virtual substrates (2008)

Yan, L. ; Olsen, S. H. ; Escobedo-Cousin, E. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Journal of Applied Physics. 2008; 103(9): 094508. Published 2008 May 01. doi: 10.1063/1.2917286.

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Thermal stability of supercritical thickness-strained Si layers on thin strain-relaxed buffers (2007)

Escobedo-Cousin, E. ; Olsen, S. H. ; Dobrosz, P. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Journal of Applied Physics. 2007; 102(12): 123502. Published 2007 Dec 15. doi: 10.1063/1.2825042.

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Single-particle levitation system for automated study of homogeneous solute nucleation (2006)

Olsen, Adam P. ; Flagan, Richard C. ; Kornfield, Julia A.

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In: Review of Scientific Instruments. 2006; 77(7): 073901. Published 2006 Jul 01. doi: 10.1063/1.2212945.

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Highly sensitive silicon microreactor for catalyst testing (2009)

Henriksen, Toke R. ; Olsen, Jakob L. ; Vesborg, Peter ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Review of Scientific Instruments. 2009; 80(12): 124101. Published 2009 Dec 01. doi: 10.1063/1.3270191.

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A cryostat and temperature control system optimized for measuring relaxations of glass-forming liquids (2008)

Igarashi, Brian ; Christensen, Tage ; Larsen, Ebbe H. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Review of Scientific Instruments. 2008; 79(4): 045105. Published 2008 Apr 01. doi: 10.1063/1.2903419.

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Thema: Elektrotechnik, Elektronik, Nachrichtentechnik , Physik

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