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Pulsed‐Mass‐Spectrometric Study of the Bimolecular Formation of N3+ (1966)

Cress, M. C. ; Becker, Philip M. ; Lampe, F. W.

American Institute of Physics

In: Journal of Chemical Physics. 1966; 44(5): 2212-2213. Published 1966 Mar 01. doi: 10.1063/1.1727012.

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Publikationsdatum: 1966-03-01

Print ISSN: 0021-9606

Digitale ISSN: 1089-7690

Thema: Chemie und Pharmazie , Physik

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Ionization Potential of the Nitroxyl Molecule (1966)

Kohout, F. C. ; Lampe, F. W.

American Institute of Physics

In: Journal of Chemical Physics. 1966; 45(3): 1074-1075. Published 1966 Aug 01. doi: 10.1063/1.1727669.

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Publikationsdatum: 1966-08-01

Print ISSN: 0021-9606

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Thema: Chemie und Pharmazie , Physik

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Electron Spin Resonance Studies of Photodegradation in Poly(Methylmethacrylate) (1966)

Michel, R. E. ; Chapman, F. W. ; Mao, T. J.

American Institute of Physics

In: Journal of Chemical Physics. 1966; 45(12): 4604-4611. Published 1966 Dec 15. doi: 10.1063/1.1727543.

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Publikationsdatum: 1966-12-15

Print ISSN: 0021-9606

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On Certain Integrals Useful in Studies of Electronic Structure (1966)

Solony, N. ; Lin, C. S. ; Birss, F. W.

American Institute of Physics

In: Journal of Chemical Physics. 1966; 45(3): 976-981. Published 1966 Aug 01. doi: 10.1063/1.1727713.

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Publikationsdatum: 1966-08-01

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Thema: Chemie und Pharmazie , Physik

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Nitridation of iron by pulsed excimer laser treatment under liquid ammonia: Mössbauer spectroscopic study (1987)

Ogale, S. B. ; Patil, P. P. ; Roorda, S. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1987; 50(25): 1802-1804. Published 1987 Jun 22. doi: 10.1063/1.97702.

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Publikationsdatum: 1987-06-22

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Erratum: Epitaxial alignment of arsenic‐implanted polycrystalline silicon films on 〈100〉 silicon obtained by rapid thermal annealing [Appl. Phys. Lett. 50, 751 (1987)] (1987)

Hoyt, J. L. ; Crabbé, E. ; Gibbons, J. F. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1987; 50(25): 1846-1846. Published 1987 Jun 22. doi: 10.1063/1.98271.

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Scanning tunneling microscope as a micromechanical tool (1987)

McCord, M. A. ; Pease, R. F. W.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1987; 50(10): 569-570. Published 1987 Mar 09. doi: 10.1063/1.98137.

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Publikationsdatum: 1987-03-09

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Experimental determination of hot‐carrier scattering processes in AlxGa1−xAs (1987)

Wise, F. W. ; Walmsley, I. A. ; Tang, C. L.

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In: Applied Physics Letters. 1987; 51(8): 605-607. Published 1987 Aug 24. doi: 10.1063/1.98361.

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Planar avalanche photodiode with a low‐doped, reduced curvature junction (1987)

Chi, G. C. ; Muehlner, D. J. ; Ostermayer, F. W. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1987; 50(17): 1158-1160. Published 1987 Apr 27. doi: 10.1063/1.97948.

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Publikationsdatum: 1987-04-27

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Epitaxial alignment of arsenic implanted polycrystalline silicon films on 〈100〉 silicon obtained by rapid thermal annealing (1987)

Hoyt, J. L. ; Crabbé, E. ; Gibbons, J. F. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1987; 50(12): 751-753. Published 1987 Mar 23. doi: 10.1063/1.98034.

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Publikationsdatum: 1987-03-23

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