ISSN:
1618-2650
Source:
Springer Online Journal Archives 1860-2000
Topics:
Chemistry and Pharmacology
Description / Table of Contents:
Zusammenfassung Die Augerelektronen-Spektrometrie (AES), die Sekundärionen-Massenspektrometrie (SIMS) und die Abbildung von dünnen Querschnitten im Transmissionselektronenmikroskop (TEM) ergänzen sich in wertvoller Weise: TEM-Querschnitte geben den Aufbau und die Morphologie der Schichten mit sehr hoher Ortsauflösung (〈1 nm) sowohl in lateraler als auch vertikaler Richtung wieder, AES und SIMS bieten die zugehörige Elementanalyse von Hauptbestandteilen, Verunreinigungen und Dotierstoffen über die Tiefe. Die Nützlichkeit der Kombination dieser Methoden wird an Tantalsilicid-Polysilicium-Doppelschichten aus der modernen MOS-Technologie veranschaulicht.
Notes:
Summary Auger Electron Spectroscopy (AES), Secondary Ion Mass Spectrometry (SIMS), and cross-sectional Transmission Electron Microscopy (TEM) favourably complement one another in the analysis of thin film problems: Cross sectional TEM images reveal the structure and the morphology of thin films with very high spatial resolution (〈 1 nm) in lateral as well as in vertical direction, whereas AES and SIMS provide the corresponding elemental analyses of major components, impurities, and doping elements as a function of film depth. The combined application of these methods is shown for the case of tantalum silicidepolysilic on double layers used in modern MOS devices.
Type of Medium:
Electronic Resource
URL:
http://dx.doi.org/10.1007/BF01226791
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